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宿迁联盛布局磷化铟衬底,跨界切入半导体上游材料赛道!

宿迁联盛与合作方签订合资意向协议,共同出资1000万元成立合资公司,开展磷化铟衬底的研发、生产与销售,上市公司出资700万元,占有70%股权。

项目分两期建设,一期固定资产投入1亿元,规划年产12万片4-6英寸磷化铟衬底;二期计划再加投2亿元,整体产能提升至40万片每年。磷化铟衬底属于光通信、光芯片上游关键材料,本次合作是公司向半导体新材料领域拓展的重要动作。

风险提示:该合作目前仅为意向协议,还需要经过股东大会审议通过,项目能否顺利落地、投产都存在不确定性,短期内无法为公司带来实质业绩增量,仅具备题材催化作用。

(特别声明:仅供参考,入市有风险,投资需谨慎)
以上内容仅供学习交流,不作为投资依据,据此操作风险自担。股市有风险,入市需谨慎! *点击查看风险提示及免责声明
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